近日华为因P10闪存门事件被推上了舆论的风口浪尖，部分媒体指出华为最新旗舰P10/P10 Plus部分使用高速UFS闪存、部分使用低速eMMC闪存，而这两种闪存在读取速度上有较大的差异。为何对质量把控一向严格的华为会出现这种问题，是故意为之还是另有隐情？
闪存门事件发生后，华为第一时间给出了解释，表示“近期个别社交网络上关于P10 / P10 Plus闪存选用问题，我们同样与业界多家优秀的闪存解决方案供应商紧密合作，共同保障产品品质及用户体验，同时也是为了保障供应的稳定。”逐字逐句进行分析，华为这番话的意思大概是，P10确实存在更换闪存一事，但是这也是为了保障稳定供应，不得已而为之。
从华为的回应来看，这次在“闪存门”中所暴露出来的问题，其实是整个存储器市场现在所面临的窘境。华为消费者业务CEO余承东第二次回应说：“关于P10系列手机闪存同时采用UFS和EMMC两种方案的问题，核心原因是供应链闪存的严重缺货，至今华为手机的Flash存储仍然在缺货之中。”
由于SSD硬盘和手机抢货，闪存从去年下半年就开始紧张，并且这种紧张缺货的状态可能还会延续一年。但是闪存市场资源几乎被少数厂家掌控，目前核心技术依然掌握在三星、SK海力士、美光、闪迪以及东芝这些厂商手中。 NAND闪存市场几乎被上述五大厂瓜分。其中，韩系两大厂商都分别占据第一和第五的位置，三星拥有33.6%的市场份额，SK海力士为10.1%，而国内还是个空白。
虽然三星、SK海力士、东芝等厂商都在生产，但由于客户多，尤其是UFS这样的高档闪存更是缺货。这也是东芝要出售内存业务时，苹果使出混身解数联合富士康也要往里面掺一脚的最大原因。
业内人士预计，进入2018年以后，存储器短缺的问题将不再那么严重，代工能力也将持续改善。这将迅速导向“企业级硬盘”产品，以及巨大容量的储存SSD (可能使用四位元单元的QLC)。另一方面，随着存储器产业快速过渡至SSD，以及移动至小型储存装置与超融合的基础架构，预计RAID/混合阵列架构衰退的速度将会更快。
唯有自主才能做到可控。面对不可控的闪存市场，最好的办法就是打造属于我们自己的闪存。近期，我国在NAND闪存领域取得一定进展，据央视报道我国首个存储器基地项目近日在武汉东湖高新区正式开工，该基地总投资240亿美元，计划于2020年全面建成，建成后年产值将超过100亿美元。
据悉，国家存储器基地项目位于武汉东湖高新区武汉未来科技城，将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、一座总部研发大楼和其他若干配套建筑，其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。项目一期计划2018年建成投产，2020年完成整个项目，总产能将达到30万片/月，年产值将超过100亿美元。
可以说，此次华为P10闪存门事件，不仅给了华为一个教训，对其他中国手机厂商而言也是一次警醒。不可否认，更换闪存是华为自身因素影响，但更深层次的原因是核心零部件受制于人，结果就是被人任意拿捏而无法反抗。因此，只有我们高端制造业崛起，才能彻底避免类似事件的发生。(来源：中国智能制造网)
